تغییر خواص ساختاری و مغناطیسی نانو سیم های آلیاژی cosn با تغییر درصد sn و فرایند تابکاری با استفاده از روش الکترو نهشت پالسی.

مطالعه خواص مغناطیسی و بلوری نانوسیم ها در ساخت حافظه های مغناطیسی و نانوسیم-های چند لایه بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. تا کنون آرایه هایی از این نانوسیم ها ساخته شده-اند که از آن جمله می توان به نانوسیم های فرومغناطیس تک عنصری و یا نانوسیم های آلیاژی دوتایی fm/fm مانند cofe و cozn و آلیاژهای سه تایی مانند fecocu اشاره نمود. از آنجا که افزودن هر عنصر غیر مغناطیسی به عناصر مغناطیسی رفتاری منحصر به فرد نشان می دهد، در این تحقیق عنصر قلع (sn) به عنوان جزء غیرمغناطیسی انتخاب و به عنصر فرومغناطیس کبالت (co) اضافه شد تا خواص مغناطیسی و ساختار بلوری نانوسیمهای cosn بررسی شود. در مرحله ی ساخت ابتدا قالب آلومینا توسط روش آندایز دو مرحله ای آماده شد و سپس ساخت نانوسیم های coxsn1-x با استفاده از روش الکتروانباشت پالسی در قالب آلومینا با زمان های خاموشی و غلظت های متفاوت الکترولیت صورت گرفت. درصدهای آلیاژی توسط آنالیز sem و خواص مغناطیسی و بلوری نانوسیم ها به ترتیب توسط آنالیز های vsm و xrd بررسی شد. در نهایت با بهره گیری از میکروسکوپ های الکترونی و روبشی نظیر sem و afm ریخت شناسی قالب آلومینا ونانوسیم ها مورد مطالعه قرار گرفت. خواص بلوری و مغناطیسی پس از عملیات تابکاری مجدداً مورد بررسی قرار گرفت. از بررسی های مذکور این نتیجه حاصل شد که افزایش زمان خاموشی سبب کاهش درصد اتمی کبالت می گردد که در پی آن کاهش وادارندگی و مغناطش در واحد سطح و شکل گیری فاز های آلیاژی بلوری اتفاق می افتد. تابکاری نیز سبب تغییر خواص بلوری و مغناطیسی نانوسیم-ها می گردد و افزایش وادراندگی و به طور کلی بهبود خواص مغناطیسی را به همراه دارد.